型号 | SI7107DN-T1-E3 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8 |
SI7107DN-T1-E3 PDF | |
代理商 | SI7107DN-T1-E3 |
产品目录绘图 | DN-T1-E3 Series 1212-8 |
标准包装 | 1 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9.8A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 10.8 毫欧 @ 15.3A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 450µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 44nC @ 4.5V |
功率 - 最大 | 1.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? 1212-8 |
供应商设备封装 | PowerPAK? 1212-8 |
包装 | 标准包装 |
产品目录页面 | 1664 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | SI7107DN-T1-E3DKR |